|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: You JB ; Zhang XW; Dong JJ; Song XM; Yin ZG; Chen NF; Yan H; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
 Adobe PDF(336Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1335/319 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang B; Lu YW; Song HP; Liu XL; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Zhang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhangbiao@semi.ac.cn
Adobe PDF(215Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1074/301 | 提交时间：2010/04/04 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiong W; Li SS; Xiong W Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wenxiong@semi.ac.cn
Adobe PDF(264Kb) | 收藏 | 浏览/下载：998/410 | 提交时间：2010/03/08 |
| In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者: Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP; Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(273Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1696/274 | 提交时间：2010/03/09
In-situ Doping Boron Aluminum Memory Effects Hot-wall Lpcvd 4h-sic |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wu GG; Li HR; Liang K; Yang R; Cao XL; Wang HY; An JM; Hu XW; Han DJ; Liang K Beijing Normal Univ Coll Nucl Sci & Technol Key Lab Beam Technol & Mat Modificat Minist Educ Beijing 100875 Peoples R China. E-mail Address: lk@bnu.edu.cn
Adobe PDF(429Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1307/303 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhu ZY (Zhu, Zheng-Yong); Li SS (Li, Shu-Shen); Zhu, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyzhu@semi.ac.cn
Adobe PDF(911Kb) | 收藏 | 浏览/下载：697/188 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiong W; Li SS; Xiong W Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wenxiong@semi.ac.cn
Adobe PDF(586Kb) | 收藏 | 浏览/下载：786/260 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu W; Meng XQ; Qiao HX; Xie RH; Liu W Wuhan Univ Dept Phys Wuhan 430072 Peoples R China.
Adobe PDF(406Kb) | 收藏 | 浏览/下载：971/237 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zheng WL; Li ZW; Wang XF; Zheng WL Chengde Teachers Coll Nationalities Dept Phys Chengde 067000 Peoples R China. E-mail Address: zhengwenliheda@126.com
Adobe PDF(237Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1053/354 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hao GD; Chen YH; Hao YF; Hao GD Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Box 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: gdhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(422Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1168/322 | 提交时间：2010/03/08 |
