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硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(1141Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：686/53  |  提交时间：2014/12/25