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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [9]
作者
徐波 [9]
叶小玲 [4]
金鹏 [2]
文献类型
会议论文 [9]
发表日期
2006 [1]
2004 [3]
2001 [2]
2000 [2]
1999 [1]
语种
英语 [9]
出处
JOURNAL OF... [2]
PHYSICA E,... [2]
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语种:英语
文献类型:会议论文
作者:徐波
第一作者
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Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Zhao M
;
Zhang CL
;
Xu B
;
Yu LK
;
Sun J
;
Lei W
;
Wang ZG
;
Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Monte Carlo Simulation
Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH
;
Jin P
;
Ye XL
;
Liu HY
;
Zhang ZY
;
Shi GX
;
Zhang CL
;
Wang YL
;
Liu FQ
;
Xu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Dots
Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1579/258
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提交时间:2010/10/29
Short-period Superlattices
Raman-scattering
Quantum-wells
Growth
Roughness
Segregation
Alas/gaas
Alas
Gaas
Molecular-beam epitaxial growth of position controlled InAs islands on cleaved edge of InGaAs/GaAs superlattice
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Cui CX
;
Chen YH
;
Zhang CL
;
Jin P
;
Xu B
;
Shi GX
;
Zhao C
;
Wang ZG
;
Cui, CX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Quantum Dots
Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Liu HY
;
Xu B
;
Ding D
;
Chen YH
;
Zhang JF
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Liu HY Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1311/319
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提交时间:2010/11/15
Low Dimensional Structures
Molecular Beam Epitaxy
Nanomaterials
Inas Islands
Gaas
Growth
Gaas(100)
Thickness
Density
Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Wang ZG
;
Chen YH
;
Liu FQ
;
Xu B
;
Wang ZG Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Low Dimensional Structures
Strain
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Dots
Semiconducting Iii-v Materials
Laser Diodes
Well Lasers
Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Sun ZZ
;
Liu FQ
;
Wu J
;
Ye XL
;
Ding D
;
Xu B
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Sun ZZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Self-assembled Quantum Dots
Inp Substrate
High Index
Mbe
In(Ga
Molecular-beam-epitaxy
Al)as/inAlas/inp
Vapor-phase Epitaxy
Gaas
Islands
Photoluminescence
Inp(001)
Growth
Lasers
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Jiang WH
;
Xu HZ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Zhou W
;
Ding D
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1373/285
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提交时间:2010/11/15
Quantum Dots
High Index
Molecular Beam Epitaxy
Photoluminescence
Surface Segregation
Oriented Gaas
Ingaas
Islands
Wells
Disks
Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001)
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Zhou W
;
Xu B
;
Xu HZ
;
Liu FQ
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Zhu ZZ
;
Li GH
;
Zhou W Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Bimodal Distribution
Photoluminescence (Pl)
Quantum-size Effect
Ge
Ensembles
Si(100)
Growth
Shape