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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2006
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Wang XL (Wang X. L.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Li XY (Li X. Y.)
;
Gong HM (Gong H. M.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu YW (Lu Yan-Wu)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Liu FX (Liu Fang-Xin)
;
Liu, FX, Beijing Jiaotong Univ, Dept Phys, Beijing 100044, Peoples R China. E-mail: ywlu@ustc.edu
;
fxliu@ustc.edu.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JP (Liu J. P.)
;
Shen GD (Shen G. D.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liu, JP, Beijing Univ Technol, Beijing Optoelect Technol Lab, Pingleyuan 100, Beijing 100022, Chaoyang Dist, Peoples R China. E-mail: jianpingliu76@hotmail.com
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang RX (Wang R. X.)
;
Xu SJ (Xu S. J.)
;
Djurisic AB (Djurisic A. B.)
;
Beling CD (Beling C. D.)
;
Cheung CK (Cheung C. K.)
;
Cheung CH (Cheung C. H.)
;
Fung S (Fung S.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Tao XM (Tao X. M.)
;
Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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提交时间:2010/04/11
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Homoepitaxial Growth
Low-pressure Hot-wall Cvd
Structural And Optical Characteristics
Intentional Doping
Schottky Barrier Diodes
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou SQ (Zhou Shengqiang)
;
Wu MF (Wu M. F.)
;
Yao SD (Yao S. D.)
;
Zhang BS (Zhang B. S.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Zhou, SQ, Forschungszentrum Rossendorf EV, POB 51 01 19, D-01314 Dresden, Germany. E-mail: zhousq2000@yahoo.com
;
sdyao@pku.edu.cn
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提交时间:2010/04/11
Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G
会议论文
ICO20 MATERIALS AND NANOSTRUCTURES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:
Shen, WJ
;
Duan, Y
;
Wang, J
;
Wang, QY
;
Zeng, YP
;
Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Zno
Mocvd
Thermal Annealing
Photoluminescence
X-ray Diffraction
Atomic Force Microscopy
Pulsed-laser Deposition
Thin-films
Photoluminescence
Mechanisms
Epitaxy
Cvd
Si
Influence of Al content on electrical and structural properties of Si-doped AlxGa1-xN/GaN HEMT structures
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Wang, CM
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Li, JP
;
Wang, CM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1327/297
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提交时间:2010/03/29
High Breakdown Voltage
Mobility Transistors
Heterostructures
Sapphire
Ganhemts
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu Y (Xu Ying)
;
Diao HW (Diao Hong-Wei)
;
Hao HY (Hao Hui-Ying)
;
Zeng XB (Zeng Xiang-Bo)
;
Liao XB (Liao Xian-Bo)
;
Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:910/297
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu LF
;
Chen NF
;
Wang Y
;
Yin ZG
;
Yang F
;
Chai CL
;
Zhang X
;
Liu, LF, Peking Univ, Inst Microelect, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lfliu@ime.pku.edu.cn
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提交时间:2010/04/11