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对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  姜磊;  白云霞;  王莉
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改进砷化镓晶片表面质量的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  徐嘉东
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低温生长砷化镓式半导体可饱和吸收镜 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王勇刚;  马骁宇
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