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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
韩培德 [2]
江德生 [1]
文献类型
会议论文 [6]
发表日期
2003 [1]
2001 [2]
1998 [1]
1997 [2]
语种
英语 [6]
出处
PHYSICS OF... [2]
BLUE LASER... [1]
JOURNAL OF... [1]
PHYSICA E-... [1]
PROCEEDING... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [6]
资助机构
Univv Nebr... [2]
China Natl... [1]
Japan Soc ... [1]
Kanazawa C... [1]
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SEMI OpenIR
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收录类别:CPCI\-S
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Lasing of CdSSe quantum dots in glass spherical microcavity
会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 17 (1-4), TOULOUSE, FRANCE, JUL 22-26, 2002
作者:
Lu SL
;
Jia R
;
Jiang DS
;
Li SS
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NARROW GAP SEMICONDUCTORS AND RELATED SMALL ENERGY PHENOMENA, PHYSICS AND APPLICATIONS, 2, KANAZAWA, JAPAN, MAY 27-31, 2001
作者:
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Lan Q
;
Kong YC
;
Zhou DY
;
Feng SL
;
Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1281/0
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提交时间:2010/10/29
Molecular Beam Epitaxy
Ingaas Islands
Photolumineseence
Line-width
1.3 Mu-m
Inas/gaas Quantum Dots
Optical-properties
Cap Layer
Gaas
Luminescence
Strain
Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1205/221
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提交时间:2010/11/15
Crystal Morphology
Quantum Dots
Molecular Beam Epitaxy
Semiconducting Gallium Arsenide
Semiconducting Indium Gallium Arsenide
1.35 Mu-m
Gaas-surfaces
Photoluminescence
Islands
The growth and characterization of GaN grown on a gamma-Al2O3/(001) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang LS Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:939/0
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提交时间:2010/10/29
Sapphire
Influence of interdot electronic coupling on photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
会议论文
PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, 12, LINCOLN, NEBRASKA, JUL 08-11, 1997
作者:
Wang ZM
;
Feng SL
;
Yang XP
;
Deng YM
;
Lu ZD
;
Xu ZY
;
Chen ZG
;
Zheng HZ
;
Han PD
;
Wang FL
;
Duan XF
;
Wang ZM Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Gaas
Growth
Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble
会议论文
PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, 12, LINCOLN, NEBRASKA, JUL 08-11, 1997
作者:
Wang ZM
;
Feng SL
;
Yang XP
;
Lu ZD
;
Xu ZY
;
Chen ZG
;
Zheng HZ
;
Wang FL
;
Gao M
;
Han PD
;
Duan XF
;
Wang ZM Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1318/171
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提交时间:2010/11/15
Growth
Transition
Gaas