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基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  李家业;  王雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平
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砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵超;  徐波;  陈涌海;  金鹏;  王占国
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用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘兴昉;  孙国胜;  李晋闽;  赵永梅;  王雷;  赵万顺;  李家业;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱蓉辉;  曾一平;  卜俊鹏;  惠峰;  郑红军;  赵冀;  高永亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周梅;  常清英;  赵德刚
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭英才;  Zhao Xinwei;  马蕾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  石小溪;  赵国忠;  张存林;  崔利杰;  曾一平
Adobe PDF(469Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1353/596  |  提交时间：2010/11/23