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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: X. L. HU; L. B. SUN; BEIBEI ZENG; L. S. WANG; Z. G. YU; S. A. BAI; S. M. YANG; L. X. ZHAO; Q. LI; M. QIU; R. Z. TAI; H. J. FECHT; J. Z. JIANG; D. X. ZHANG Adobe PDF(823Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:463/3  |  提交时间:2017/03/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: L. Wang; G. D. Yuan; R. F. Duan; F. Huang; T. B. Wei; Z. Q. Liu; J. X. Wang; J. M. Li Adobe PDF(5568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:236/2  |  提交时间:2017/03/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: R. W. Wu; G. D. Yuan; K. C. Wang; T. B. Wei; Z. Q. Liu; G. H. Wang; J. X. Wang; J. M. Li Adobe PDF(8305Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:258/0  |  提交时间:2017/03/16 |
| 低维结构(纳米柱和Core/Shell)GaN基LED的制作和性能表征 学位论文 , 北京: 中国科学院大学, 2014 作者: 李智 Adobe PDF(5400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1217/88  |  提交时间:2014/06/03 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Li, Zhicong; Li, Panpan; Wang, Bing; Li, Hongjian; Liang, Meng; Yao, Ran; Li, Jing; Deng, Yuanming; Yi, Xiaoyan; Wang, Guohong; Li, Jinmin; Li, Z.(lizc@semi.ac.cn) Adobe PDF(170Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1051/337  |  提交时间:2012/06/14 |
| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2010/220  |  提交时间:2011/08/31 |
| Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102351236A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 赵婧; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(840Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1188/167  |  提交时间:2012/09/09 |
| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1900/298  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(495Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1656/153  |  提交时间:2011/08/31 |
| 低位错氮化镓的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1268/208  |  提交时间:2012/09/09 |