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半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曾宇昕;  王水凤;  杨富华;  曾庆城
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对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  姜磊;  白云霞;  王莉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, GW (Yang, Guowei);  Lai, YX (Lai, Yixin);  Wang, SJ (Wang, Shoujue);  Gao, XH (Gao, Xuhui);  Yang, GW, Qingdao Univ, Inst Pattern Recognit & Intellignet Syst, Qingdao 266071, Peoples R China. 电子邮箱地址: ygw_ustb@163.com;  wsjue@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan SD (Pan Shu-Di);  He JL (He Jing-Liang);  Hou YE (Hou Yu-E);  Fan YX (Fan Ya-Xian);  Wang HT (Wang Hui-Tian);  Wang YG (Wang Yong-Gang);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Pan, SD, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. E-mail: jlhe@icm.sdu.edu.cn;  htwang@nju.edu.cn;  wygxjw@red.semi.ac.cn
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