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硅衬底上氮化锆薄膜磁控溅射制备生长研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  高洁
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增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  尹志岗;  张曙光;  张兴旺;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
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增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张兴旺;  张曙光;  尹志岗;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
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制备有序Al纳米颗粒的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910082081.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  游经碧;  张兴旺;  高云;  董敬敬;  陈诺夫
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一种增强有机聚合物太阳能电池效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394272A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张兴旺;  高红丽;  谭海仁;  尹志岗;  吴金良
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图案化纳米模板及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010520234.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  董敬敬;  张兴旺;  尹志岗;  谭海仁;  高云;  张曙光;  白一鸣
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锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237094.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张伟;  王利军;  刘俊岐;  李路;  张全德;  陆全勇;  高瑜;  刘峰奇;  王占国
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一种制备氧化锌纳米材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237099.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  董敬敬;  张兴旺;  游经碧;  高云
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在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  陈涌海;  刘建庆;  高云;  徐波;  张兴旺;  王占国
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