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| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉 Adobe PDF(345Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1577/174  |  提交时间:2011/08/30 |
| Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910085917.5, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 孙苋; 刘文宝; 朱建军; 江德生; 王辉; 张书明; 刘宗顺; 杨辉 Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1464/173  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种化学气相淀积外延设备用的进气装置 专利 专利类型: 实用新型, 专利号: CN200920222264.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 朱建军; 王海; 史永生 Adobe PDF(623Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1097/154  |  提交时间:2011/08/30 |
| 具有纳米结构插入层的GaN基LED 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010183393.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 朱继红; 张书明; 朱建军 Adobe PDF(355Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1329/156  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 卢国军; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(448Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1335/168  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810226677.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1359/131  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种紫外红外双色探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010183403.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 刘宗顺; 赵德刚; 朱建军; 张书明; 王辉; 江德生; 杨辉 Adobe PDF(841Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1289/117  |  提交时间:2011/08/30 |
| GaN基光电子器件表面粗化的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237781.5, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(403Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1266/161  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种InGaN半导体光电极的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263078.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(453Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1298/178  |  提交时间:2011/08/30 |
| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 杨辉 Adobe PDF(619Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1497/163  |  提交时间:2011/08/30 |