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自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘金龙;  李树深;  牛智川
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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
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带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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输出波形可调密集波分复用系统集成器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李健;  胡雄伟;  王红杰;  安俊明
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提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  杨丽卿;  徐嘉东;  胡传贤;  段晓峰;  高旻;  朱建成;  王凤莲
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新型平面型DFB内光栅耦合结构制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱洪亮;  王圩;  刘国利;  张静媛
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用于折叠插值模数转换器的动态匹配方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李志刚;  石寅
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang L;  Xin HL;  Fang C;  Wang, CX;  Li F;  Li ZM;  Liu YL;  Wang, QM;  Yang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CB;  Mao RW;  Zuo YH;  Zhao L;  Shi WH;  Luo LP;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Li, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbli@mail.semi.ac.cn
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新型GaAs 基长波长低维半导体材料的光学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  边历峰
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