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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [4]
作者
韩伟华 [1]
汪炼成 [1]
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2006 [1]
2002 [1]
2000 [1]
1999 [1]
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英语 [4]
出处
INTERNATIO... [1]
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PHYSICA ST... [1]
Physica St... [1]
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1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
;
Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Improved Luminescence Efficiency
Temperature
Photoluminescence
Nitrogen
Origin
Diodes
Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wei WS
;
Wang TM
;
Zhang CX
;
Li GH
;
Han HX
;
Ding K
;
Wei WS Beijing Univ Aeronaut & Astronaut Sch Sci Ctr Mat Phys & Chem Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Amorphous-silicon
A model of dislocations at the interface of the bonded wafers
会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:
Han WH
;
Yu JZ
;
Wang LC
;
Wei HZ
;
Zhang XF
;
Wang QM
;
Han WH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Wafer Bonding
Heteroepitaxy
Lattice Mismatch
Edge-like Dislocations
Thermal Stress
60 Degrees Dislocation Lines
Gaas
Pressure behavior of deep centers in ZnSxTe1-x alloys
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 211 (1), THESSALONIKI, GREECE, AUG 09-13, 1998
作者:
Liu NZ
;
Li GH
;
Zhang W
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Ge WK
;
Sou IK
;
Liu NZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Absorption-edge
Strains
Zns