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| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1500/248  |  提交时间:2012/09/09 |
| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1542/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-20, 2013-02-20 发明人: 王科范; 刘孔; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:799/102  |  提交时间:2014/10/24 |
| 一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-28 发明人: 王科范; 张华荣; 彭成晓; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:800/93  |  提交时间:2014/11/17 |
| 硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30 发明人: 王科范; 彭成晓; 刘孔; 谷城; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(564Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:895/81  |  提交时间:2014/12/25 |
| 碳化硅中间带太阳电池及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 发明人: 王科范; 张光彪; 丁丽; 刘孔; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(450Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:688/3  |  提交时间:2016/09/29 |