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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Room temperature mobility above 2100 cm2/Vs in Al0.3Ga0.7N/AIN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD
作者: Wang, XL;  Wang, CM;  Hu, GX;  Wang, JX;  Li, JP
出版日期: 2006
会议日期: SEP 18-22, 2005
摘要: Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structures with significantly high mobility have been grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on sapphire substrates. At room temperature (RT) a Hall mobility of 2104 cm(2)/Vs and a two-dimensional electron gas (2DEG) density of 1.1x10(13) cm(-2) are achieved, corresponding to a sheet resistance of 277.8 Omega/sq. The elimination of V-shaped defects were observed on Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structures and correlated with the increase of 2DEG mobility. (c) 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co KGaA, Weinheim.
会议名称: 32nd International Symposium on Compound Semiconductors
KOS主题词: atomic layer deposition;  Salaries;  Layers
会议文集: Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Wang, XL; Wang, CM; Hu, GX; Wang, JX; Li, JP .Room temperature mobility above 2100 cm2/Vs in Al0.3Ga0.7N/AIN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD .见:WILEY-VCH, INC .Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS ,605 THIRD AVE, NEW YORK, NY 10158-0012 USA ,2006,Vol 3 no 3 3 (3): 607-610
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