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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots
作者: Zhan, F;  Huang, SS;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xiong, YH;  Fang, ZD;  Zhou, HY;  Luo, Y
会议日期: JUN 04-06, 2007
摘要: In this paper, combining low deposition rate with proper growth temperature, we have developed a way to prepare very low-density quantum dots (QDs) suited for the study of single OD properties without resorting to submicron lithography. Experiment results demonstrate that InAs desorption is significant during growing the low density QDs. Ripening of InAs QDs is clearly observed during the post-growth annealing. Photoluminescence spectroscopy reveals that the emission wavelength of low density InAs QDs arrives at 1332.4 nm with a GaAs capping layer.
会议名称: 6th International Conference on Nanoscience and Technology
KOS主题词: Quantum dots
会议文集: JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Zhan, F;Huang, SS;Niu, ZC;Ni, HQ;Xiong, YH;Fang, ZD;Zhou, HY;Luo, Y.Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots .见:AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS .JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY,25650 NORTH LEWIS WAY, STEVENSON RANCH, CA 91381-1439 USA ,39845,9 (2): 844-847 Sp. Iss. SI FEB
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