Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 | |
| 冯淦; 杨辉; 梁骏吾 | |
| 2004-04-21 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2002-10-16 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | CN02145890.1 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/2855 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯淦,杨辉,梁骏吾. 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法[P]. 2004-04-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 02145890.pdf（645KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [冯淦]的文章 |
| [杨辉]的文章 |
| [梁骏吾]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [冯淦]的文章 |
| [杨辉]的文章 |
| [梁骏吾]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [冯淦]的文章 |
| [杨辉]的文章 |
| [梁骏吾]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论