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面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究
刘胜北
学位类型博士后
导师SiC材料由于其优异的材料特性,在电力电子领域被视为替代功率器件的理想选择。现阶段中低压领域1200V以内的SiC肖特基二极管以及MOSFET已经成功实现了商品化,并在各种应用中逐步的替代硅基功率器件。然而,对于更高的电压领域SiC基电力电子器件面临着一些基本问题弑待解决,首先硅基IGBT通过新型器件结构,耐压2000V以上时其理论导通电阻已经超过了SiC单极型器件,并且该原型器件已经成功制备,有必要通过结构的改进进一步降低SiC材料的导通电阻 ; 其次,由于器件耐压越高要求的外延层厚度越厚,SiC厚膜外延还不能满足工业化生产的需求 ; 最后,SiC外延的外延层载流子寿命过低,而最常用的氧化提高寿命的方法,面临着氧化温度高,时间长,效率低的问题。
2018-01
学位授予单位中国科学院半导体研究所
学位授予地点北京
学位专业SiC,超级结,载流子寿命,沟槽刻蚀,沟槽外延
学科领域半导体材料 ; 半导体器件
公开日期2018-02-22
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28265
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
刘胜北. 面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,2018.
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