SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种半导体光电器件的表面钝化方法
郝宏玥; 王国伟; 向伟; 蒋洞微; 邢军亮; 徐应强; 牛智川
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2014-11-21
申请号CN201410674271.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27455
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
郝宏玥,王国伟,向伟,等. 一种半导体光电器件的表面钝化方法.
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一种半导体光电器件的表面钝化方法.pdf(721KB) 限制开放使用许可请求全文
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