| 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法 | |
| 吴亮亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 李亮; 乐伶聪; 杨辉 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-05-01 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Application Date | 2013-01-18 |
| Application Number | CN201310020078.5 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25698 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 吴亮亮,赵德刚,江德生,等. 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其（477KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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