SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
氮化镓系发光二极管及制备方法
马平; 刘波亭; 甄爱功; 郭仕宽; 纪攀峰; 王军喜; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-02-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2013-11-14
申请号CN201310566095.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25481
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
马平,刘波亭,甄爱功,等. 氮化镓系发光二极管及制备方法.
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氮化镓系发光二极管及制备方法.pdf(548KB) 限制开放使用许可请求全文
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