在硅片上制作八边形微孔的方法
黄永光; 王熙元; 刘德伟; 朱小宁; 王宝军; 朱洪亮
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-10-24
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-07-09
申请号CN201210236356.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25286
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
黄永光,王熙元,刘德伟,等. 在硅片上制作八边形微孔的方法.
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