SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
采用压电材料制备的阵列结构微机电谐振器
康中波; 司朝伟; 宁瑾; 韩国威
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-04-03 ; 2013-04-03
授权国家中国
专利类型发明
学科领域微电子学
申请日期2012-12-13
申请号CN201210539946.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25192
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
康中波,司朝伟,宁瑾,等. 采用压电材料制备的阵列结构微机电谐振器.
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采用压电材料制备的阵列结构微机电谐振器.(456KB) 限制开放使用许可请求全文
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