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一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法; 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法
李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 本发明公开了一种氮化镓基LED的外延粗化方法的流程图,包括:选择一衬底;在该衬底上生长一氮化铝镓铟成核层;在该氮化铝镓铟成核层上生长非故意掺杂氮化镓层;在该非故意掺杂氮化镓层上生长N型掺杂的氮化镓层;在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层;在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层,该层为单层或者不同组分与厚度的氮化铝镓铟叠层结构;以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明,实现了P型掺杂的氮化铝镓铟层生长时的表面粗化,制备出的LED效率相对与传统结构提高了30%以上,且其电学性质优良。
metadata_83中科院半导体照明研发中心
Patent NumberCN102214739A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110136088.6
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23512
Collection中科院半导体照明研发中心
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GB/T 7714
李志聪,姚然,王兵,等. 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法, 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法. CN102214739A.
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一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法.p(992KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
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