| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法; 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 |
| 李志聪 ; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓基LED的外延粗化方法的流程图,包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化铝镓铟成核层；在该氮化铝镓铟成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层,该层为单层或者不同组分与厚度的氮化铝镓铟叠层结构；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明,实现了P型掺杂的氮化铝镓铟层生长时的表面粗化,制备出的LED效率相对与传统结构提高了30％以上,且其电学性质优良。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN102214739A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110136088.6
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23512
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李志聪,姚然,王兵,等. 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法, 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法. CN102214739A.
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