| 自支撑氮化镓衬底的制作方法; 自支撑氮化镓衬底的制作方法 |
| 孙波; 伊晓燕 ; 刘志强; 汪炼成; 郭恩卿; 王国宏
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法,其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长一层薄膜层；步骤3：在薄膜层上生长一层纳米薄膜,得到一基片；步骤4：对基片进行退火,退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒,形成源衬底；步骤5：在源衬底的纳米薄膜上生长出自支撑衬底；步骤6：将源衬底与自支撑衬底通过机械方法实现分离,完成制作。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN102208340A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110134149.5
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23509
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
孙波,伊晓燕,刘志强,等. 自支撑氮化镓衬底的制作方法, 自支撑氮化镓衬底的制作方法. CN102208340A.
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