| 自支撑氮化镓衬底的制作方法; 自支撑氮化镓衬底的制作方法 | |
孙波; 伊晓燕 ; 刘志强; 汪炼成; 郭恩卿; 王国宏
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法,其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长一层薄膜层；步骤3：在薄膜层上生长一层纳米薄膜,得到一基片；步骤4：对基片进行退火,退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒,形成源衬底；步骤5：在源衬底的纳米薄膜上生长出自支撑衬底；步骤6：将源衬底与自支撑衬底通过机械方法实现分离,完成制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN102208340A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110134149.5 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23509 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孙波,伊晓燕,刘志强,等. 自支撑氮化镓衬底的制作方法, 自支撑氮化镓衬底的制作方法. CN102208340A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 自支撑氮化镓衬底的制作方法.pdf（219KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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