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氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法; 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法
詹腾; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法,包括:步骤1:选择一外延结构,该外延结构包括衬底和氮化镓LED外延层;步骤2:在外延层上沉积SiO2层;步骤3:运用光刻技术,通过匀胶,前烘,曝光,坚膜,在SiO2层上形成光刻胶图形,该光刻胶图形覆盖SiO2层表面周边的部分面积;步骤4:腐蚀未被光刻胶图形掩盖的SiO2层,露出外延层;步骤5:剥离去掉光刻胶图形位置的光刻胶;步骤6:在腐蚀掉SiO2层位置的外延层上,蒸镀ITO层;步骤7:在未被腐蚀的SiO2层的表面相对的两边,蒸发接触金属电极,完成二极管隐形电极的制作。
metadata_83中科院半导体照明研发中心
Patent Number CN102208502A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110152869.4
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23508
Collection中科院半导体照明研发中心
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GB/T 7714
詹腾,汪炼成,郭恩卿,等. 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法, 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法.  CN102208502A.
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氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作(278KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
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