| 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法; 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 | |
詹腾; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕 ; 王国宏
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法,包括：步骤1：选择一外延结构,该外延结构包括衬底和氮化镓LED外延层；步骤2：在外延层上沉积SiO2层；步骤3：运用光刻技术,通过匀胶,前烘,曝光,坚膜,在SiO2层上形成光刻胶图形,该光刻胶图形覆盖SiO2层表面周边的部分面积；步骤4：腐蚀未被光刻胶图形掩盖的SiO2层,露出外延层；步骤5：剥离去掉光刻胶图形位置的光刻胶；步骤6：在腐蚀掉SiO2层位置的外延层上,蒸镀ITO层；步骤7：在未被腐蚀的SiO2层的表面相对的两边,蒸发接触金属电极,完成二极管隐形电极的制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN102208502A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110152869.4 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23508 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 詹腾,汪炼成,郭恩卿,等. 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法, 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法. CN102208502A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作（278KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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