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Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法; Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法
赵婧; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:将CuSO4和FeSO4分别按比例混合后,再与过量的NaOH充分混合,形成混合物;步骤2:将混合物在玛瑙研钵中进行研磨,使混合物充分接触并发生化学反应,不断研磨直至反应体系的颜色完全转变为黑色,固相反应不再进行,形成反应产物;步骤3:将得到的反应产物用去离子水多次清洗,过滤出不溶于水的反应产物;步骤4:将过滤出的不溶于水的反应产物在干燥箱中烘干后研磨,得到前驱体粉末;步骤5:将前驱体粉末置于石英舟中,放入管式反应炉的中部,在Ar气氛下退火,得到黑色的纳米粉末,完成Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备。
metadata_83中科院半导体照明研发中心
Patent NumberCN102351236A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110185833.6
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23503
Collection中科院半导体照明研发中心
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GB/T 7714
赵婧,刘喆,王军喜,等. Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法, Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法. CN102351236A.
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