SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
GaN基薄膜芯片的制造方法; GaN基薄膜芯片的制造方法
刘硕; 郭恩卿; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种GaN基薄膜芯片的制造方法,包括:1)在一蓝宝石衬底上生长外延层,该外延层包括N型层、活性层和P型层;2)在外延层上制作反射层;3)在反射层上涂覆第一树脂层;4)在第一树脂层上粘合第一临时基板,并固化;5)对蓝宝石衬底进行激光剥离,露出外延层的一面;6)在露出的外延层的一面涂覆第二树脂层;7)在第二树脂层粘合第二临时基板,并固化;8)去除第一临时基板和第一树脂层,露出反射层;9)在反射层上电镀永久支撑基板;10)去除第二临时基板和第二树脂层;11)粗化激光剥离掉蓝宝石衬底后的外延层的表面;12)在粗化后的外延层的表面制作电极。
metadata_83中科院半导体照明研发中心
Patent NumberCN102496667A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110430261.3
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23501
Collection中科院半导体照明研发中心
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GB/T 7714
刘硕,郭恩卿,伊晓燕,等. GaN基薄膜芯片的制造方法, GaN基薄膜芯片的制造方法. CN102496667A.
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