高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心  > 专利

专利名称: 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法;  在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法
发明人: 刘雯;  王晓东;  程凯芳;  马慧丽;  王晓峰;  徐锐;  杨富华
摘要:  本发明公开了一种在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法,该方法包括:在GaAs衬底正反面各淀积一层SiO2进行保护;在GaAs衬底的正面再蒸镀一层金属铝膜;将蒸镀有金属铝膜的GaAs衬底在阳极氧化浴槽中进行阳极氧化;将氧化后的GaAs衬底在磷酸溶液中腐蚀扩孔;采用Ar离子轰击完全去除阻挡层,得到完全通孔的阳极氧化铝模板;将表面制备有阳极氧化铝模板的GaAs衬底进行电子束蒸发金属填孔;以及去除表面的阳极氧化铝膜,在GaAs衬底表面得到均匀的金属纳米颗粒。利用本发明,避免了采用已制备好的阳极氧化铝模板转移到半导体材料衬底过程中模板易碎、模板与衬底之间接触不好、以及引入污染等问题。
专题: 半导体集成技术工程研究中心 _专利

条目包含的文件

文件 大小格式
在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法.pdf3017KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
刘雯;王晓东;程凯芳;马慧丽;王晓峰;徐锐;杨富华,在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法, CN201110440640.0,
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [刘雯]的文章
 [王晓东]的文章
 [程凯芳]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [刘雯]的文章
 [王晓东]的文章
 [程凯芳]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发