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依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法
杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(a)以绝缘体上硅作为衬底;(b)在衬底上沿<110>晶向方向进行划片,作为曝光时的参考方向;(c)将衬底进行热氧化,生成二氧化硅掩膜层;(d)采用电子束曝光,生成平面图形;(e)采用各向同性腐蚀液对二氧化硅掩膜层进行腐蚀;(f)再采用各向异性湿法腐蚀,在二氧化硅掩膜层下的硅层上获得依赖晶面的三维限制硅纳米结构。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Patent NumberCN200810224109.8
Language中文
Status公开
Application NumberCN200810224109.8
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22415
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
杨香,韩伟华,王颖,等. 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法. CN200810224109.8.
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