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相变存储器的制作方法
马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种相变存储器的制作方法,该方法包括:步骤1:在衬底上淀积一层第一绝缘材料层;步骤2:在第一绝缘材料层上淀积一层金属层,作为相变存储器的下电极;步骤3:在金属层上制备一层第二绝缘材料层;步骤4:在第二绝缘材料层上采用微纳加工技术制备金属插塞电极的小孔;步骤5:采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属作为插塞电极;步骤6:在第二绝缘材料层上淀积一层相变材料;步骤7:在相变材料上淀积一层金属材料,作为相变存储器的上电极;步骤8:在金属材料上淀积一层第三绝缘材料层;步骤9:在第三绝缘材料层上钝化开孔;步骤10:在第三绝缘材料层上和钝化开孔内,再淀积一层金属电极层,完成相变存储器的制作。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Patent NumberCN201010263081.6
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010263081.6
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22351
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
马慧莉,王晓峰,张加勇,等. 相变存储器的制作方法. CN201010263081.6.
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