磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法
王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法,包括如下步骤:步骤1:选择一n+型GaAs单晶片作为衬底;步骤2:在衬底上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层;步骤3:在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构,作为电池的i吸收层;步骤4:在多个周期的量子点结构上依次生长p型GaAs层、p+型GaAs层、Al0.4Ga0.6As层和ZnS/MgF2层;步骤5:在ZnS/MgF2层上生长并制作上金属电极;步骤6:在衬底10的下表面制作下金属电极;步骤7:对电池组件进行封装,完成太阳电池的制作。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN201010217374.0
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010217374.0
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22191
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王科范,杨晓光,杨涛,等. 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法. CN201010217374.0.
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