| 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 | |
黄亚军; 樊中朝; 刘志强 ; 伊晓燕; 季安; 王军喜
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法，包括：步骤1：在衬底上制备氮化镓外延片；步骤2：在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜；步骤3：采用不同图形面积光刻版进行光刻，将第二层掩膜的两侧刻蚀掉，使第二层掩膜的面积小于第一层掩膜的面积；步骤4：通过双层掩膜的差异，采用ICP刻蚀的方法，将第一层掩膜和氮化镓外延片两侧刻蚀成梯形台面，该梯形台面的上部的宽度与第二层掩膜的宽度相同，该梯形台面的下部的宽度与衬底的宽度相同；步骤5：采用湿法腐蚀的方法，腐蚀掉第一层掩膜和第二层掩膜；步骤6：在氮化镓外延片上制作P电极；步骤7：采用激光剥离的方法，去掉衬底；步骤8：在P电极上制作转移衬底；步骤9：在氮化镓外延片上制作N电极，完成制备。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN201010534588.0 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010534588.0 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22123 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 黄亚军,樊中朝,刘志强,等. 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法. CN201010534588.0. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010534588.0.pdf（267KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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