高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 | |
黄亚军; 樊中朝; 刘志强![]() ![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法,包括:步骤1:在衬底上制备氮化镓外延片;步骤2:在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜;步骤3:采用不同图形面积光刻版进行光刻,将第二层掩膜的两侧刻蚀掉,使第二层掩膜的面积小于第一层掩膜的面积;步骤4:通过双层掩膜的差异,采用ICP刻蚀的方法,将第一层掩膜和氮化镓外延片两侧刻蚀成梯形台面,该梯形台面的上部的宽度与第二层掩膜的宽度相同,该梯形台面的下部的宽度与衬底的宽度相同;步骤5:采用湿法腐蚀的方法,腐蚀掉第一层掩膜和第二层掩膜;步骤6:在氮化镓外延片上制作P电极;步骤7:采用激光剥离的方法,去掉衬底;步骤8:在P电极上制作转移衬底;步骤9:在氮化镓外延片上制作N电极,完成制备。 |
metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
Patent Number | CN201010534588.0 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010534588.0 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22123 |
Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 黄亚军,樊中朝,刘志强,等. 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法. CN201010534588.0. |
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