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高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法
黄亚军; 樊中朝; 刘志强; 伊晓燕; 季安; 王军喜
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法,包括:步骤1:在衬底上制备氮化镓外延片;步骤2:在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜;步骤3:采用不同图形面积光刻版进行光刻,将第二层掩膜的两侧刻蚀掉,使第二层掩膜的面积小于第一层掩膜的面积;步骤4:通过双层掩膜的差异,采用ICP刻蚀的方法,将第一层掩膜和氮化镓外延片两侧刻蚀成梯形台面,该梯形台面的上部的宽度与第二层掩膜的宽度相同,该梯形台面的下部的宽度与衬底的宽度相同;步骤5:采用湿法腐蚀的方法,腐蚀掉第一层掩膜和第二层掩膜;步骤6:在氮化镓外延片上制作P电极;步骤7:采用激光剥离的方法,去掉衬底;步骤8:在P电极上制作转移衬底;步骤9:在氮化镓外延片上制作N电极,完成制备。
metadata_83中科院半导体照明研发中心
Patent NumberCN201010534588.0
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010534588.0
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22123
Collection中科院半导体照明研发中心
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GB/T 7714
黄亚军,樊中朝,刘志强,等. 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法. CN201010534588.0.
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