SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
一种InGaN半导体光电极的制作方法
王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种InGaN半导体光电极的制作方法,该方法包括:步骤1:取一衬底(21);步骤2:在该衬底(21)上外延生长InGaN层(22);步骤3:在该InGaN层(22)上制作形成纳米微结构层(31);步骤4:在该InGaN纳米微结构层(31)上,外延生长或沉积n型或p型表面层(41)。利用本发明,将纳米结构引入到半导体光电极表面,大大降低了电极表面对光的反射,提高了电极与电解液的有效接触面积,增加了电化学反应效率,最大程度地提高了半导体光电极对太阳光的转换效率。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN201010263078.4
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010263078.4
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21899
Collection集成光电子学国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
王辉,朱建军,张书明,等. 一种InGaN半导体光电极的制作方法. CN201010263078.4.
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