非极性A-GaN薄膜的MOCVD生长及物性研究 | |
刘建明 | |
Subtype | 博士 |
Thesis Advisor | 刘祥林 ; 刘祥林 |
2011 | |
Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
Place of Conferral | 北京 |
Degree Discipline | 刘祥林 |
Subject Area | 半导体材料 |
Date Available | 2011-06-01 |
Document Type | 学位论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20701 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘建明. 非极性A-GaN薄膜的MOCVD生长及物性研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2011. |
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非极性A-GaN薄膜的MOCVD生长及物(5967KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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