| 非极性A-GaN薄膜的MOCVD生长及物性研究 | |
| 刘建明 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 刘祥林 ; 刘祥林 |
| 2011 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 刘祥林 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Date Available | 2011-06-01 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20701 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘建明. 非极性A-GaN薄膜的MOCVD生长及物性研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2011. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 非极性A-GaN薄膜的MOCVD生长及物（5967KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment