高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Heteroepitaxy of cubic GaN: influence of interface structure
作者: Trampert A;  Brandt O;  Yang H;  Yang B;  Ploog KH
出版日期: 1997
会议日期: APR 07-10, 1997
摘要: We report on the epitaxial growth and the microstructure of cubic GaN. The layers are deposited by plasma-assisted molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates. Despite the extreme lattice mismatch between these materials, GaN grows in the metastable cubic phase with a well-defined orientation-relationship to the GaAs substrate including a sharp heteroboundary. The preference of the metastable phase and its epitaxial orientation originates in the interface structure which is found to be governed by a coincidence site lattice.
会议名称: Royal-Microscopical-Society Conference on Microscopy of Semiconducting Materials
KOS主题词: atomic layer deposition;  Development
会议文集: MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1997, (157)
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

条目包含的文件

文件 大小格式
3069.pdf317KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Trampert A; Brandt O; Yang H; Yang B; Ploog KH .Heteroepitaxy of cubic GaN: influence of interface structure .见:IOP PUBLISHING LTD .MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1997, (157),TECHNO HOUSE, REDCLIFFE WAY, BRISTOL, ENGLAND BS1 6NX ,1997,205-208
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Trampert A]的文章
 [Brandt O]的文章
 [Yang H]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Trampert A]的文章
 [Brandt O]的文章
 [Yang H]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发