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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4
作者: Duan SK;  Teng XG;  Wang YT;  Li GH;  Jiang HX;  Han P;  Lu DC
出版日期: 1998
会议日期: OCT 27-31, 1997
摘要: The growth of wurtzite GaN by low-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy on (1 1 1) magnesium aluminate (MgAl2O4) substrates have been studied. The morphological, crystalline, electrical and optical properties are investigated. A p-n junction GaN LED was fabricated on the MgAl2O4 substrate. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
会议名称: 2nd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 97)
KOS主题词: atomic layer deposition;  Light emitting diodes;  Diodes
会议文集: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Duan SK; Teng XG; Wang YT; Li GH; Jiang HX; Han P; Lu DC .MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4 .见:ELSEVIER SCIENCE BV .JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189,PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS ,1998,197-201
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