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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD
作者: Ma XY;  Cao Q;  Wang ST;  Guo L;  Lian P;  Wang LM;  Zhang XY;  Yang YL;  Zhang HQ;  Wang GH;  Chen LH
出版日期: 1998
会议日期: JUL 09-11, 1998
摘要: Low threshold current and high temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) are reported in this paper. 650nm laser diodes with threshold current as low as 22-24mA at room temperature, and the operating temperature over 90 degrees C at CW output power 5 mW were achieved in this study. These lasers are stable during 72 hours burn in under 5mW at 90 degrees C.
会议名称: SPIE Conference on Optoelectronic Materials and Devices
KOS主题词: Quantum Well;  atomic layer deposition
会议文集: OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Ma XY; Cao Q; Wang ST; Guo L; Lian P; Wang LM; Zhang XY; Yang YL; Zhang HQ; Wang GH; Chen LH .High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD .见:SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING .OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419,1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA ,1998,131-136
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