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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing
作者: Wang YQ;  Liao XB;  Diao HW;  He J;  Ma ZX;  Yue GZ;  Shen SR;  Kong GL;  Zhao YW;  Li ZM;  Yun F
出版日期: 1999
会议日期: APR 14-17, 1998
摘要: A novel pulsed rapid thermal processing (PRTP) method has been used for realizing the solid-phase crystallization of amorphous silicon films prepared by PECVD. The microstructure and surface morphology of the crystallized films are investigated by X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM). The results indicate that this PRTP is a suitable post-crystallization technique for fabricating large-area polycrystalline silicon films with good structural qualities such as large grain size, small lattice microstain and smooth surface morphology on low-cost substrate.
会议名称: Symposium on Amorphous and Microcrystalline Silicon Technology-1998, at the MRS Spring Meeting
KOS主题词: amorphous silicon;  Crystallization;  Transistors
会议文集: AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, 507
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Wang YQ; Liao XB; Diao HW; He J; Ma ZX; Yue GZ; Shen SR; Kong GL; Zhao YW; Li ZM; Yun F .Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing .见:MATERIALS RESEARCH SOCIETY .AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, 507,506 KEYSTONE DRIVE, WARRENDALE, PA 15088-7563 USA ,1999,975-980
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