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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: 650nm AlGaInP quantum well lasers for the application of DVD
作者: Chen LH;  Ma XY;  Guo L;  Ma J;  Ding HY;  Cao Q;  Wang LM;  Zhang GZ;  Yang YL;  Wang GH;  Tan MQ
出版日期: 1999
会议日期: DEC 01-03, 1999
摘要: Main application of 650nm band laser diodes are for digital versatile disk (DVD). We demonstrate here the 650nm AlGaInP LD grown by LP-MOCVD with the structure of selected buried ridge waveguide. Excellent performance of LD have been achieved such as threshold current, threshold current density as low as 20mA and 350A/cm(2) respectively at room temperature, the operating temperature up to 90 for the linear power output of 5mw. RIN is about -130db/Hz, The samples of LD have been certified by PUH manufacturers.
会议名称: SPIE Conference on Photonics Technology into the 21st Century - Semiconductors, Microstructures, and Nanostructures
KOS主题词: DVDs;  atomic layer deposition;  Operation;  Diodes
会议文集: PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Chen LH; Ma XY; Guo L; Ma J; Ding HY; Cao Q; Wang LM; Zhang GZ; Yang YL; Wang GH; Tan MQ .650nm AlGaInP quantum well lasers for the application of DVD .见:SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING .PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899,1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA ,1999,367-373
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