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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: MOCVD growth of high quality crack-free GaN on Si(III) substrates
作者: Zhang BS;  Zhu JJ;  Wang YT;  Yang H
出版日期: 2003
会议日期: SEP 12-14, 2003
摘要: High quality crack free GaN epilayers were grown on Si(111) substrates. Low temperature AlN interlayer grown under low V/III ratio was used to effectively eliminate the formation of micro-cracks. It is found that tensile stress in the GaN epilayer decreases as the N/Al ratio decreases used for AlN interlayer growth. The high optical and structural qualities of the GaN/Si samples were characterized by RBS, PL and XRD measurements. The RT-PL FWHM of the band edge emission is only 39.5meV The XRD FWHM of the GaN/Si sample is 8.2arcmin, which is among the best values ever reported.
会议名称: 6th Chinese Optoelectronics Symposium
KOS主题词: Vapor phase epitaxy;  Layers
会议文集: PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Zhang BS; Zhu JJ; Wang YT; Yang H .MOCVD growth of high quality crack-free GaN on Si(III) substrates .见:IEEE .PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2003,36-39
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