高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法
发明人: 朱建军
授权日期: 2010-8-12
摘要: 一种制备具有纳米折叠有源区结构外延片的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:先制备AlxInyGazN材料模版,其中x+y+z=1,0≤x,y,z≤1;步骤2:利用纳米加工技术,在AlInGaN材料模版上制作AlInGaN纳米柱阵列,该AlInGaN纳米柱阵列包括多个AlInGaN纳米柱;步骤3:在AlInGaN纳米柱阵列、AlInGaN纳米柱和AlInGaN材料模版的上表面生长具有纳米折叠结构的有源区层;步骤4:在具有纳米折叠结构的有源区层上生长带有纳米孔阵列的p型GaN层,该p型GaN层填满AlInGaN纳米柱阵列的缝隙,完成外延片的制作。
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

条目包含的文件

文件 大小格式
3598.pdf827KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
朱建军 ,一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法,CN200810113324.0 ,2008-05-28
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [朱建军]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [朱建军]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发