Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法 | |
| 朱建军 | |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2009-12-02 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种制备具有纳米折叠有源区结构外延片的方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:先制备AlxInyGazN材料模版，其中x+y+z＝1，0≤x，y，z≤1;步骤2:利用纳米加工技术，在AlInGaN材料模版上制作AlInGaN纳米柱阵列，该AlInGaN纳米柱阵列包括多个AlInGaN纳米柱;步骤3:在AlInGaN纳米柱阵列、AlInGaN纳米柱和AlInGaN材料模版的上表面生长具有纳米折叠结构的有源区层;步骤4:在具有纳米折叠结构的有源区层上生长带有纳米孔阵列的p型GaN层，该p型GaN层填满AlInGaN纳米柱阵列的缝隙，完成外延片的制作。 |
| 申请日期 | 2008-05-28 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810113324.0 |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13464 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱建军. 一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法[P]. 2010-08-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 3598.pdf（827KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [朱建军]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [朱建军]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [朱建军]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论