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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 氮化镓基多波段探测器及其制作方法
发明人: 刘文宝;  孙 苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  杨 辉
授权日期: 2010-8-12
摘要: 一种氮化镓基多波段探测器,包括:一衬底;一短波段探测单元,包括:一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处;一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上;一中波段探测单元,包括:一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处;一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上;一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上;一长波段探测单元,包括:一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处;一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上;一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上;一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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刘文宝;孙 苋;赵德刚;刘宗顺;张书明;朱建军;杨 辉 ,氮化镓基多波段探测器及其制作方法,CN200810116416.4 ,2008-07-09
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