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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
作者: Jiang, DS;  Qu, YH;  Ni, HQ;  Wu, DH;  Xu, YQ;  Niu, ZC
出版日期: 2006
会议日期: JUL 03-08, 2005
摘要: It is found that both methods using either continuous Sb supply or pre-deposition of a very thin Sb layer are efficient for the Sb-assisted molecular beam epitaxy growth of highly strained InGaAs/GaAs quantum wells (QWs). The emission of QWs is extended to long wavelength close to 1.25 mu m with high luminescence efficiency at room temperature. The influence of rapid thermal annealing (RTA) on the photoluminescence intensity critically depends on the annealing temperature and duration for highly strained QWs. A relatively low RTA temperature of 700 degrees C with a short duration of 10 s is suggested for optimizing the annealing effect. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
会议名称: 3rd International Conference on Materials for Advanced Technologies/9th International Conference on Advanced Materials
KOS主题词: atomic layer deposition
会议文集: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Jiang, DS; Qu, YH; Ni, HQ; Wu, DH; Xu, YQ; Niu, ZC .Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy .见:ELSEVIER SCIENCE BV .JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS ,FEB 2 2006,288 (1): 12-17
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