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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Growth of ZnO single crystal by chemical vapor transport method
作者: Zhou, JM;  Dong, ZY;  Wei, XC;  Duan, ML;  Li, JM
出版日期: 2006
会议日期: OCT 16-19, 2005
摘要: ZnO crystals were grown by CVT method in closed quartz tube under seeded condition. Carbon was used as a transport agent to enhance the chemical transport of ZnO in the growth process. ZnO single crystals were grown by using GaN/sapphire and GaN/Si wafer as seeds. The property and crystal quality of the ZnO single crystals was studied by photoluminescence spectroscopy and X-ray diffraction technique.
会议名称: 3rd Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-3)
KOS主题词: Zinc oxide
会议文集: JOURNAL OF RARE EARTHS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Zhou, JM; Dong, ZY; Wei, XC; Duan, ML; Li, JM .Growth of ZnO single crystal by chemical vapor transport method .见:METALLURGICAL INDUSTRY PRESS .JOURNAL OF RARE EARTHS,2 XINJIEKOUWAI DAJIE, BEIJING 100088, PEOPLES R CHINA ,MAR 2006,24: 4-7 Sp. Iss. SI
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