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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助

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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. F. Liu;  z G. G. Yan;  Z. W. Shen;  Z. X.Wen;  L. X. Tian;  W. S. Zhao;  L. Wang;  M. Guan;  F. Zhang;  G. S. Sun;  Y. P. Zeng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. D. Tao;  H. L. Wang;  B. F. Miao;  L. Sun;  B. You;  D. Wu;  W. Zhang;  H. P. Oepen;  J. H. Zhao;  H. F. Ding
Adobe PDF(1312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：204/1  |  提交时间：2017/03/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. Y. Zhou;  R. Zhang;  J. P. Sun;  Y. L. Zou;  D. Zhang;  W. K. Lou;  F. Cheng;  G. H. Zhou;  F. Zhai;  Kai Chang
Adobe PDF(3227Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：372/1  |  提交时间：2016/04/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. D. Tao;  H. L. Wang;  B. F. Miao;  L. Sun;  B. You;  D. Wu;  W. Zhang;  H. P. Oepen;  J. H. Zhao;  H. F. Ding
Adobe PDF(1252Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：229/0  |  提交时间：2016/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  P. Y. Zhou;  X. F. Wu;  K. Ding;  X. M. Dou;  G. W. Zha;  H. Q. Ni;  Z. C. Niu;  H. J. Zhu;  D. S. Jiang;  C. L. Zhao;  B. Q. Sun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SG (Zhang S. G.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  Wang JX (Wang J. X.);  Dong JJ (Dong J. J.);  Gao HL (Gao H. L.);  Si FT (Si F. T.);  Sun SS (Sun S. S.);  Tao Y (Tao Y.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun L (Sun L.);  Zhang L (Zhang L.);  Yu HJ (Yu H. J.);  Guo L (Guo L.);  Ma JL (Ma J. L.);  Zhang J (Zhang J.);  Hou W (Hou W.);  Lin XC (Lin X. C.);  Li JM (Li J. M.);  Sun, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab All Solid State Laser Sources, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sunlu2446@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang L (Zhang L.);  Guo L (Guo L.);  Xiong B (Xiong B.);  Yan X (Yan X.);  Sun L (Sun L.);  Hou W (Hou W.);  Lin XC (Lin X. C.);  Li JM (Li J. M.)
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Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Micro-raman  4h-sic  Defects  3c-inclusions  Triangle-shaped Inclusion  Epitaxial Layers  Silicon-carbide  
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Ning, J (Ning, J.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Li, JM (Li, J. M.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Homoepitaxy  4h-sic  Multi-epilayer  Uv Detection  p(+)-pi-n(-)  Ultraviolet Photodetector  Epitaxial-growth