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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng YH (Zheng Yu-Hong);  Zhao JH (Zhao Jian-Hua);  Bi JF (Bi Jing-Feng);  Wang WZ (Wang Wei-Zhu);  Ji Y (Ji Yang);  Wu XG (Wu Xiao-Guang);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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半金属zb-CrAs 和稀磁半导体(Ga,Cr)As 薄膜分子束外延生长和磁性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  毕京锋
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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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