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GaAs基InSb薄膜MBE外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  赵晓蒙
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制作InSb红外探测器的材料结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  赵晓蒙;  张杨;  曾一平
Adobe PDF(440Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1133/4  |  提交时间：2016/09/12