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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JM; Liu XL; Li CM ; Wei HY; Guo Y; Jiao CM; Li ZW; Xu XQ; Song HP; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang AL; Yang TY; Wang HH; Liu, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. liujianming@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shi K; Liu XL; Li DB; Wang J; Song HP; Xu XQ; Wei HY; Jiao CM; Yang SY; Song H; Zhu QS; Wang ZG; Shi, K, 35 Tsinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. shikai@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn; lidb@ciomp.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zheng GL; Yang AL; Wei HY; Liu XL; Song HP; Guo; Y; Jia CH; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Zheng, GL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhenggl@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王振华; 杨安丽; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang AL; Wei HY; Liu XL; Song HP; Zheng GL; Guo Y; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang AL; Song HP; Liu XL; Wei HY; Guo Y; Zheng GL; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang AL; Song HP; Liu XL; Wei HY; Guo Y; Zheng GL; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 高温原位减薄硅基底的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 杨少延; 焦春美
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| δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 魏鸿源; 刘祥林; 张攀峰; 焦春美; 王占国
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| 在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 胡卫国; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林
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