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| 无权访问的条目 学位论文 作者: 刘传威 Adobe PDF(7384Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:257/28  |  提交时间:2018/05/25 |
| 4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2017 作者: 申占伟 Adobe PDF(12152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:955/58  |  提交时间:2017/06/02 4h-sic 场效应晶体管 No退火 Umosfet 欧姆接触 槽角圆弧化 米勒电容 |
| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2017 作者: 孔祥挺 Adobe PDF(15211Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:609/39  |  提交时间:2017/06/05 Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 李士颜 Adobe PDF(15932Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:731/63  |  提交时间:2016/06/02 高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 王小耶 Adobe PDF(7460Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:470/24  |  提交时间:2015/05/27 |
| 4H-SiC快速外延生长研究 学位论文 , 北京: 中国科学院大学, 2015 作者: 刘斌 Adobe PDF(5500Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1078/52  |  提交时间:2015/06/02 4h-sic 碳化硅 快速外延生长 Fast Epitaxial Growth |
| 具有背势垒的GaN基HEMT研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2014 作者: 彭恩超 Adobe PDF(8944Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1214/92  |  提交时间:2014/06/05 氮化镓 异质结 高电子迁移率晶体管 二维电子气 背势垒 |